高溫潔淨烤箱

耐熱、高效能過濾器和我們獨特的冷卻裝置可在清潔環境中進行高溫烘烤 (最高530°C (V型號最高500°C))。

透過將氮氣 (N2) 引入腔室,可以進行20ppm以下殘留O2 濃度的熱處理。

特性

  • 在溫度穩定的情況下,腔體內部可保持100級潔淨度。
  • 有兩種熱風鼓風機類型:水平循環前鼓風機 (V型)和側鼓風機 (III型)。兩者都能實現高熱效率和良好的溫度均勻性。
  • 最適合半導體晶圓和玻璃基板的烘烤、老化和其他需要高精度的熱處理。
  • 可以將惰性氣體導入腔室,以將烤箱用作惰性氣體烤箱。

規格

機型 CLH-21CD(Ⅲ) CLH-21CDH(Ⅲ) CLH-21CD(V) CLH-35CD(Ⅲ) CLH-35CDH(Ⅲ)
系統 強制循環 (側流) 前鼓風機式強制循環 強制循環 (側流)
工作溫度 (*1) 室溫 + 70至450°C 室溫 + 70至530°C 室溫 + 70至500°C 室溫 + 70至450°C 室溫 + 70至530°C
溫度曲線精度 (*2) ±5°C (450°C 時) ±8°C (530°C 時) ±5°C (500°C 時) ±5°C (450°C 時) ±8°C (530°C 時)
達到最高溫度的時間 (*1) 80分鐘或以內
室溫 + 70至445°C (450-5°C)
90分鐘或以內
室溫 + 70至522°C (530-8°C)
80分鐘或以內
室溫 + 70至495°C (500-5°C)
70分鐘或以內
室溫 + 70至445°C (450-5°C)
100分鐘或以內
室溫 + 70至522°C (530-8°C)
冷卻時間 (參考值) 90分鐘或以內 (450至100°C) 100分鐘或以內 (530至100°C) 90分鐘或以內 (500至100°C) 100分鐘或以內 (450至100°C) 120分鐘或以內 (530至100°C)
清潔度 100級 (溫度穩定時)
過濾器 耐熱、高效能過濾器
保證氧氣濃度 20 ppm或以下
達到20 ppm的時間 45分鐘或以內 (氮氣注入250 L/min) 50分鐘或以內 (氮氣注入250 L/min)
溫度控制 程式設計
讀數精度 低於500°C:±0.5°C
500°C或以上:±(顯示值的 0.1%)
記憶體容量 總共1024段 (最多99個模式)
控制操作 含自動調整的PID控制
加熱器輸出 33.6 kW (200 V時) 21 kW (200 V時) 48.3 kW (200 V時)
溫度記錄儀 單筆記錄儀 (控制點記錄,熱電偶K)
熱電偶 K
外部尺寸 W1285 × H2020 × D1605 mm W1180 × H2110 × D1670 mm W1285 × H2090 × D1775 mm
內部尺寸 W670 × H700 × D500 mm W700 × H700 × D500 mm (*3) W670 × H790 × D670 mm
貨架承受載荷 (均佈載荷) 15公斤/架
設備重量 大約1050 kg 大約1100 kg 大約1250 kg
內壓表 0至2 kPa
清潔儀表 0至1 kPa
排氣口尺寸 1B、球閥塞
斷路器容量 AC 200 V、125 A、三相、50/60 Hz AC 200 V、100 A、三相、50/60 Hz AC 200 V、175 A、三相、50/60 Hz
安全設備 漏電斷路器、過熱防止計、馬達過載保護器、
控制電路保護器、低冷卻液流量檢測器
配件 2 個擱板 (擱板架)
應用 半導體晶圓和玻璃基板的烘烤和固化
(*1)加熱器升溫能力,加熱室內控制點的值。
(*2) 有效尺寸為內部尺寸的 2/3。
(*3) 內部寬度為700 mm,但開口尺寸為630 mm。