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高温洁净烘箱 CLH 系列

使用耐热高性能过滤器和独特的冷却装置,可在清洁环境中进行高温烘烤(最高 530°C(V 型最高 500°C))。

热风循环系统可实现出色的温度均匀性和 100 级空气洁净度(当温度稳定时)。

这种类型的烘箱适用于半导体晶圆和玻璃基板烘烤、老化以及其他需要高温和高精度的热处理。

通过将氮气 (N2) 引入腔室,可以在 20 ppm 或更低的残余 O2 浓度下进行热处理。

特性

  • 安装了耐热高性能过滤器和独特的冷却装置,可进行高温烘烤。
  • 当温度稳定时,腔室内部可保持 100 级清洁度。
  • 有两种热风机类型:水平循环前侧风机(V 型)和侧风机(III 型)。两者都能实现较高的热效率和良好的温度均匀性。
  • 适用于半导体晶圆和玻璃基板烘烤、老化和其他需要高精度的热处理。
  • 可将惰性气体引入腔室,将烘箱用作惰性气体烘箱。

规格

型号 CLH-21CD(Ⅲ) CLH-21CDH(Ⅲ) CLH-21CD(V) CLH-35CD(Ⅲ) CLH-35CDH(Ⅲ)
系统 强制循环(侧流) 前鼓风机式强制循环 强制循环(侧流)
最高工作温度 (*1) 450°C 530°C 500°C 450°C 530°C
正常工作温度范围 (*1) RT + 70 至 450°C RT + 70 至 530°C RT + 70 至 500°C RT + 70 至 450°C RT + 70 至 530°C
温度分布精度 (*2) ±5°C(450°C) ±8°C(530°C) ±5°C(500°C) ±5°C(450°C) ±8°C(530°C)
达到最高温度的时间 (*1) 80 分钟或更短时间(RT + 70 至 450°C) 90 分钟或更短时间(RT + 70 至 530°C) 80 分钟或更短时间(RT + 70 至 500°C) 70 分钟或更短时间(RT + 70 至 450°C) 120 分钟或更短时间(RT + 70 至 530°C)
冷却时间(参考值) 90 分钟或更短时间(450 至 100°C) 100 分钟或更短时间(530 至 100°C) 90 分钟或更短时间(500 至 100°C) 100 分钟或更短时间(450 至 100°C) 120 分钟或更短时间(530 至 100°C)
洁净度 100 级(当温度稳定时)
过滤器 耐热高性能过滤器 耐热高性能过滤器
最终氧浓度 20 ppm 或更低
达到 20 ppm 的时间 45 分钟或更短时间(N2 注入 250 L/分钟) 50 分钟或更短时间(N2 注入 250 L/分钟)
温度控制 编程器
读数精度 不到 500°C:±0.5°C
500°C 或更高:±(显示值的 0.1%)
存储容量 总共 1024 段(最多 99 个模式)
控制操作 自动调谐 PID 控制
加热器输出 33.6 kW (200 V) 21 kW (200 V) 48.3 kW (200 V)
温度记录仪 单笔记录仪(控制点记录,热电偶 K)
热电偶 K
外部尺寸 (mm) 1285 (W) × 2020 (H) × 1605 (D) 1180 (W) × 2110 (H) × 1670 (D) 1285 (W) × 2080 (H) × 1775 (D)
内部尺寸 (mm) 670 (W) × 700 (H) × 500 (D) 700 (W) × 700 (H) × 500 (D)
(*3)
670 (W) × 790 (H) × 670 (D)
货架承受载荷(均布载荷) 15 kg/货架
设备重量 约 1050 kg 约 1100 kg 约 1250 kg
内部压力计 0 至 2 kPa
清洁仪表 0 至 1 kPa
排气口尺寸 1B、球阀止动器
断路器容量 AC 200 V、150 A、三相、50/60 Hz AC 200 V、100 A、三相、50/60 Hz AC 200 V、175 A、三相、50/60 Hz
安全设备 漏电断路器、防过热测量仪、电机过载保护器、
控制电路保护器、低冷却剂流速检测器
配件 2 个货架(支撑角托)
应用 半导体晶圆和玻璃基板的烘烤和固化
(*1) 加热器温升能力,加热室内控制点的值。
(*2) 有效尺寸为内部尺寸的 2/3。
(*3) 内部宽度为 700 mm,但开口尺寸为 630 mm。