解決方案案例 [case-025] 增進8吋晶圓的生產性
- 氮化物、氧氮化物
- 活化
- VF-5300H
- VF-5300HLP
增進SiC Power Device用活性化爐及氮氧化爐的8吋晶圓生產性。現在 1 Batch 已可處理至100片晶圓。
| 支援流程 | 活化退火、氧氮化 |
|---|---|
| 型號介紹 | VF-5300HLP、VF-5300H
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問題
隨著電動車在全球成為趨勢，碳化矽功率半導體的生產如火如荼。 晶圓直徑也從6吋轉向8吋，提高8吋晶圓的產能成為課題。
但由於活性化爐和氮氧化爐分別在1900°C和1400°C的極高溫度下處理晶圓，因此每批處理的8英吋晶圓最大數量限制為50片（活化爐）和75片（氮氧化爐）。
解決方案
為提升生產能力，重新檢視處理Chamber、Heater等裝置構造。
結果
1 Batch 最大處理量可達100片晶圓，生產性提升了1.3~2倍(和我司過去機種相比)