术语表 - 半导体
B
- 半导体制造工艺/后端
-
分类：应用
此工艺也称封装。具体指将前一步生产的 IC 芯片从晶圆上分离，然后通过重新布线（如引线焊接）和树脂密封处理以生产 IC 封装的工艺。
相关页面
- 半导体制造工艺/前端
-
分类：应用
也称晶圆加工步骤。在晶圆表面生成半导体器件的过程中，使用了多种热处理方法，如氧化、扩散和 CVD。
相关页面
- 薄晶圆
-
分类：应用
比 SEMI 标准、日本工业标准 (JIS) 和美国材料与试验协会 (ASTM) 针对每片一体式直径所规定的厚度更薄的晶圆。通常用于功率器件。
相关页面
- 玻璃料烧制（适用于 FPD）
-
分类：工艺
将玻璃颗粒、树脂、溶剂等融合成玻璃浆，然后用印刷方法将玻璃浆涂在基板上，最后进行烧制。用于连接、密封和涂装电子元件。
相关页面
C
- 掺磷多晶硅
-
分类：工艺
通过在沉积多晶硅时注入磷化氢 (PH3) 气体和掺杂磷而获得的具有 N 型属性的多晶硅薄膜。用于与电极线接触。
相关页面
- 垂直腔面发射激光器
-
分类：应用
垂直腔（或谐振器）型表面发射激光器，通常简称为 VCSEL。与传统水平谐振器类型不同，可在晶圆状态下向芯片施加电压，可对产品进行激光检测，因为镜面不会因激光震荡产生太大损耗，并且该设备的功耗很低。除此之外，还支持二维阵列的多波束合成。
相关页面
D
- 大口径立式炉管
-
分类：设备相关
为 FPD 领域大尺寸玻璃基板退火而开发的烘烤炉。玻璃基板的尺寸在 2.5 代或以上。采用半导体设备的立式炉管结构，并将玻璃基板安装到大尺寸石英玻璃管内，然后在高温下加热以进行退火处理。
相关页面
- 氮化硅
-
分类：工艺
氮化硅膜，用作 MEMS 的保护膜。在 LPCVD 中，在几十帕的低压高温下，让二氯硅烷 (SiH2Cl2) 等硅烷类气体与氨气 (NH3) 发生反应通常会形成一层薄膜。
相关页面
- 单片式加工
-
分类：应用
一种加工方法，相比批量加工数十个基板，此方法一次仅加工一个基板。此方法适用于在短时间内生产少量多种类产品的生产线。另外，由于基板是逐一加工的，因此可实现更精细的控制。在需要快速升温和精细化大气控制的工艺中，甚至是在批量生产线上，都需要采用单片式加工方式。
- 灯退火
-
分类：设备相关
使用卤素灯等发出的光作为加热源的热处理系统。因其只加热工件而不加热空气，所以可以进行温度急升和急降的处理。
相关页面
- 低温湿法氧化
-
分类：工艺
一种将砷化镓等化合物半导体的晶圆插入在 500℃ 或更低相对温度下加热的石英管中，将蒸汽注入管中，然后氧化晶圆的方法，可用于 VCSEL 孔径成型工艺。
相关页面
- 低温氧化物
-
分类：工艺
这是一种 LPCVD。
相关页面
该工艺以 SiH4 和 O2 为原料，在低温（约 400℃）下减压形成氧化膜，用作层间绝缘膜等。
- 低应力氮化硅
-
分类：工艺
由于氮化硅薄膜一般处于高应力状态，所以可能出现裂缝和翘曲现象。因此，需要使用氮化物薄膜来降低应力，并释放 MEMS（微电子机械系统）和其他设备中的薄膜应力。
相关页面
- 多晶硅
-
分类：工艺
使用甲硅烷 (SiH4) 气体在低压高温（约 650℃）下沉积形成的膜。通常用于栅极电极。
相关页面
E
- 二硅化钼加热器
-
分类：设备相关
以二硅化钼为加热元件的加热器，非常适合需要反复进行高温处理的应用，最高温度可达 1400℃。耐热性能极佳，支持快速加热。
相关页面
F
- FPD
-
分类：应用
FPD 是 Flat Panel Display（平板显示器）的缩写。指有机 EL (OLED)、液晶显示器等薄型显示器。
- 复合半导体
-
分类：应用
由元素周期表中 III-V 族和 II–VI 族的多种元素组合而成的半导体材料，如砷化镓、氮化镓、碲化镉和碳化硅。
G
- 高温氧化物
-
分类：工艺
以二氯硅烷 (SiH2Cl2) 和一氧化二氮 (N2O) 气体为原料，在低压高温（约 900℃）下形成用作栅氧化层的氧化膜。
相关页面
- 功率半导体
功率器件 -
分类：应用
功率半导体是一种执行绝缘、导电、放大、整流、频率转换等电气任务的半导体。最近，开始采用碳化硅和氮化镓作为新一代半导体材料，以减少较高电压下的功率损耗。
相关页面
- 固化
-
分类：工艺
固化是指通过某种作用（热、化学添加剂、光等）促进单体的聚合反应或聚合物的交联反应，然后称相应单体或聚合物已固化。
相关页面
- 硅晶片
-
分类：工件
从高纯度硅锭上切割下来的晶片，构成半导体的基底。热处理设备可用于在高温下引入杂质，并形成绝缘膜，以生产半导体元件（IC 和 LSI）。
H
- HGC 加热器
-
分类：设备相关
加热器采用大尺寸线圈和垫片，可提供出色的高温耐久性。非常适合需要反复进行高温处理的应用，如扩散炉，最高温度可达 1250℃。
相关页面
- 烘箱
-
分类：设备相关
热处理设备的总称。在我们的设备中是指热风循环式加热设备。
相关页面
- 活化
-
分类：工艺
在离子注入工艺中注入的离子是不活跃的，因其没有与半导体中的原子晶体对齐。由于晶体存在缺陷，晶格也需要修复。活化是一个利用热量调整晶格并活化这些离子的过程。
相关页面
- 活化退火
-
分类：工艺
在基板中注入杂质（不同元素）以形成半导体层后，通过热处理恢复断裂的晶体结构，并用电激活。
相关页面
I
- IGBT
-
分类：应用
Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）的缩写，是一种功率半导体。输入端采用 MOSFET 结构，输出端采用双极结构。其特点是开关速度相对较高，导通电阻低。
J
- 接触退火
-
分类：工艺
当金属与半导体接触时，可能会形成肖特基势垒二极管，导致电流只沿一个方向流动。需要通过热处理对接触面进行合金化，让电流双向流动。
相关页面
这种情况称为欧姆接触。
- 聚酰亚胺
-
分类：应用
聚酰亚胺是含酰亚胺聚合物的通称。该物质具有耐热性和耐化学性，适用于恶劣环境中的工业应用。例如，可用作半导体的保护膜和绝缘材料、防护服纤维以及耐热胶带。
- 聚酰亚胺固化
-
分类：工艺
一种将用作半导体保护膜或绝缘材料的聚酰亚胺薄膜在 200℃ 至 400℃ 温度下加热并固化的方法。
相关页面
K
- 快速冷却
-
分类：设备相关
用鼓风机将空气送入加热器并强制冷却炉子的系统，以快速降低炉内温度。
相关页面
L
- 蓝宝石晶圆
-
分类：工件
蓝宝石是一种透明材料，具有硬度高、耐腐蚀和耐热的特点，可用于发光二极管和半导体激光器等光学器件。
- LGO 加热器
-
分类：设备相关
加热器以细导线为加热元件，并采用我们独特的真空成型工艺将陶瓷纤维隔热材料集成到固体结构中。由于仅存储少量热量，所以即使在低温和温度急升或急降时，这类加热器也能实现高精度控制，并具有良好的温度跟随性。
相关页面
- 立式炉管
-
分类：设备相关
一种带立式腔体（如石英玻璃管）的炉子，可用于批量加工半导体之类产品中的多个硅晶片，以进行高温热处理或在晶圆上沉积薄膜。
相关页面
- LPCVD
-
分类：工艺
Low Pressure Chemical Vapor Deposition（低压化学气相沉积法）的缩写，用于在几十帕的低压下沉积和形成多晶硅 (poly-Si) 和氮化硅 (Si3N4) 薄膜。
相关页面
M
- MEMS
-
分类：应用
Micro Electro-Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，是一种在硅和玻璃上制造微米级精细机械结构和电子电路的设备。最近，还出现了将机械结构与电子电路相结合的多芯片型模块。
相关页面
N
- N2 置换室
-
分类：设备相关
安装在基板传输区的 N2 吹扫室。将基板移入移出吹扫室时，该器件用于降低大气中的氧气和水分浓度，以抑制自然氧化膜的形成。
相关页面
O
- 欧姆接触
-
分类：应用
一种接触方式，其特点是电阻值不受电流方向和电压大小的影响，电压、电流和电阻之间遵循欧姆定律。例如，晶体管、二极管和集成电路等半导体器件的电极都是采用欧姆接触。
相关页面
P
- 批量加工
-
分类：应用
将多片一体式放在石英舟等上一起加工的方法。适用于大量生产少数产品。为确保批量加工的均匀性，需采用能够保持气体和温度均匀分布的技术。
- POA（氧化后退火）
-
分类：工艺
当形成 MOSFET 栅极氧化膜时，在主氧化工艺过后，为了重新形成 MOS 界面而进行的退火。
相关页面
R
- 热解氧化
-
分类：工艺
一种热氧化方法，利用氢气和氧气燃烧时产生的水蒸气，在硅等半导体材料上形成氧化膜。
相关页面
- 热氧化
-
分类：工艺
在高温条件下，将半导体材料（如硅晶片）暴露在氧化（如氧气或水蒸气）气氛中以形成氧化膜的方法，具体包括干法氧化和热解氧化。
相关页面
S
- 扇出晶圆
-
分类：工件
在 FOWLP（扇出晶圆级封装）制造过程中处理的树脂基板。FOWLP 是对在芯片尺寸之外形成重新布线层的封装的通称。与传统封装相比，这类封装可以缩小/减薄封装。
- 烧结/合金化
-
分类：工艺
溅射金属膜（如铝）后进行的退火处理。这种处理通常在氢气气氛中进行，目的是让接触面与硅合金化，以实现欧姆接触。
相关页面
- 砷化镓晶圆
-
分类：工件
以镓 (Ga) 和砷 (As) 组合而成的化合物为材料制作的晶圆。相比硅晶圆，这种晶圆的强度较低，价格较高，但由于其电子迁移率高，所以可用于生产低功耗的高速半导体器件，另外还可用作 LED 和激光器的基板。
- 四乙氧基硅烷
-
分类：工艺
在 LPCVD 中沉积二氧化硅时使用。因为是液体材料，所以需要特殊的汽化器。
相关页面
其特点是流动性好，覆盖率高。
T
- 太阳能电池/太阳能模块/光伏发电
-
分类：应用
一种利用太阳光和光伏效应将光能转化为电能的能量转换元件。这种元件采用主要成分为硅的半导体制成。除此之外，还包括使用铜、铟、镓、硒和硫材料制成的 CIGS 化合物太阳能电池和碲化镉太阳能电池。
相关页面
- 碳化硅晶片
-
分类：工件
从碳化硅锭上切割下来的晶片，通常用于功率半导体，其工作温度和工作速度比硅晶片更高，制作成本和难度也比硅晶片高。
- 退火
-
分类：工艺
制造半导体器件时需要的各种热处理。
相关页面
- 脱氢（适用于 FPD）
-
分类：工艺
在 LTPS（低温多晶硅）工艺中，形成非晶硅膜，进行激光退火，并对该膜进行多晶硅化。因为非晶硅层中的氢会对薄膜造成损害，所以在激光退火前需要进行热处理以降低氢的浓度。
相关页面
W
- 卧式炉管
-
分类：设备相关
一种带水平腔体（如石英玻璃管）的炉子，可用于批量加工半导体、太阳能电池之类产品中的多个硅晶片，以进行高温热处理或在晶圆上沉积薄膜。
相关页面
X
- 吸杂
-
分类：工艺
基板中的一些杂质可能会对 LSI 的性能产生不利影响。此工艺方法利用基板的晶体特征等来收集这些杂质。
相关页面
Y
- 研发 (R&D)
-
分类：应用
探索已有技术和新技术的发展以寻找未来新价值的活动。
相关页面
- 氧氮化物
-
分类：工艺
一种以 NO 或 N2O 为原料形成 SiON 薄膜的方法。该方法通过将氮气引入栅极氧化膜的界面来帮助提高界面能级。
相关页面
- 有机发光二极管
-
分类：应用
有机发光二极管由两个导体之间的一系列有机薄膜组成，会在电流的作用下发光。因其可以自然发光，所以不需要背景光。另外，该器件比 LCD 更薄，耗电更少。
相关页面
Z
- 杂质扩散
-
分类：工艺
一种通过加热硅来扩散磷和硼等杂质的方法，这一工艺称为热扩散。此方法也称离子注入，因为杂质被直接电离并注入到晶圆中。这种情况下，离子注入后需要进行活化退火。这两种方法通常用于形成 PN 结。
相关页面
