此帶有內置堆料器的直立式爐管可在超高溫下大批量處理8英寸晶圓。
此爐是可以進行氧化、擴散、LPCVD、活化退火等各種熱處理的半導體熱處理系統。

此大批量、擴散、LPCVD、直立式爐管可執行4到8英寸晶圓超高溫處理。
此系統可彈性配置,使您的生產線能處理多種產品。此爐擅長功率裝置製造。

這種配備自動輸送機的低價直立式爐管可用於從研發到批量生產4至8英寸晶圓的一系列功能。
我們已將價格壓到如此低,方便後端使用者可以導入這種爐子。
超高溫處理是可用的,最適合功率裝置製造。

這種用於實驗和研究 (研發) 的小型生產直立式爐管實現了高品質的加工。
此爐結構輕巧,安裝面積小,可用於寬範圍的晶圓直徑,並具有與量產爐相同的溫度特性。

此系統適用於4到8英寸晶圓,在真空 (LP) 環境和氮氣負載鎖定氣氛中進行活化和氧化。上下十字燈 (鹵素燈)和均熱系統用於更高的面內溫度分佈均勻性。此用於4英寸至8英寸晶圓的燈退火系統即使針對研發用途也能實現高品質的加工。 活化和氧化可在真空 (LP) 環境和氮氣負載鎖定氣氛中進行。

可進行超高溫處理的直立式爐管,是功率裝置製造的理想選擇。支援3至6英寸晶圓,並具有自動晶圓傳輸機制。可用於從研發到量產的應用。

可進行高溫處理的直立式爐管,是功率裝置製造的理想選擇。支援氧氮化和最大尺寸8英寸的晶圓。具有自動晶圓傳輸機制,並可用於量產。

真空負載鎖定能力提高了處理量。
支援各種晶圓,包括Si、GaN和SiC。

可進行超高溫處理的直立式爐管,是功率裝置製造的理想選擇。支援3至8英寸晶圓,並具有自動晶圓傳輸機制。可用於從研發到量產的應用。