解决方案案例 [case-025] 提高8inch晶圆的生厂力
- 氮化物、氧氮化物
- 活化
- VF5300H
- VF-5300HLP
提高SiC功率半导体用活性化炉与氧氮化炉的8inch晶圆生产力。实现了1批次处理100片晶圆。
| 支持工艺 | 活化退火、氧氮化 |
|---|---|
| 型号介绍 | VF-5300HLP型、VF-5100H型
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问题
随着全球向电动汽车的转变，SiC功率半导体的生产也进入了正式化。晶圆直径也从传统的6inch变为8inch，如何提高生产力成为了一种挑战。
然而，此类炉子的加工温度非常高（活化炉为1900℃，氧氮化炉为1400℃），8inch晶圆在活性化炉加工的最大数量为50片/批，在氧氮化炉为75片/批。
解决方案
为了提高生产，我们重新对工艺内腔、加热器、设备构造进行了重新审查。
结果
1批次最大处理量提升为100片，生产力较以往提高了1.3～2倍。(与我们以前的设备相比)